1制作晶圆。使用晶圆切片机将硅晶棒切割出所需厚度的晶圆。
2晶圆涂膜。在晶圆表面涂上光阻薄膜，该薄膜能提升晶圆的抗氧化以及耐温能力。
3晶圆光刻显影、蚀刻。使用紫外光通过光罩和凸透镜后照射到晶圆涂膜上，使其软化，然后使用溶剂将其溶解冲走，使薄膜下的硅暴露出来。
4离子注入。使用刻蚀机在裸露出的硅上刻蚀出N阱和P阱，并注入离子，形成PN结（逻辑闸门）然后通过化学和物理气象沉淀做出上层金属连接电路。
5晶圆测试。经过上面的几道工艺之后，晶圆上会形成一个个格状的晶粒。通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测。由于每个芯片的拥有的晶粒数量是非常庞大的，完成一次针测试是一个非常复杂的过程，这要求在生产的时候尽量是同等芯片规格的大批量生产，毕竟数量越大相对成本就会越低。
6封装。将制造完成的晶圆固定，绑定引脚，然后根据用户的应用习惯、应用环境、市场形式等外在因素采用各种不同的封装形式同种芯片内核可以有不同的封装形式，比如：DIP、QFP、PLCC、QFN 等等。
芯片制造步骤：
1、制作晶圆
2、晶圆涂膜
3、晶圆光刻显影、蚀刻
4、离子注入
5、晶圆测试
6、封装
芯片的种类也非常多，有几十种大门类上千种小门类。制造一颗芯片有多难，芯片制作完整过程包括芯片设计、晶片制作、封装制作、测试等几个环节，一颗芯片的制造工艺可想而知非常复杂。
芯片的制作过程主要有，芯片图纸的设计→晶片的制作→封装→测试等四个主要步骤。
其中最复杂的要数晶片的制作了，晶片的制作要分为，硅锭的制作和打磨→切片成晶片→涂膜光刻→蚀刻→掺加杂质→晶圆测试→封装测试。这样一个芯片才算完成了。